作為感應(yīng)加熱技術(shù)的重要理論基礎(chǔ)——電磁感應(yīng)原理于1831年由法拉第發(fā)現(xiàn)*今，已有近180年的歷史，然而人類利用感應(yīng)加熱這門技術(shù)開始于20世紀30年代，到現(xiàn)在不過只有80年的時間。20世紀50年代前的20年時間內(nèi)，感應(yīng)加熱技術(shù)發(fā)展緩慢、產(chǎn)品技術(shù)水平低，主要是工頻感應(yīng)加熱爐，電磁倍頻器、中頻發(fā)電機組及電子管高頻振蕩器加熱裝置，缺乏滋生感應(yīng)加熱成長的基礎(chǔ)——電力電子技術(shù)及半導(dǎo)體功率器件的支撐。

　　感應(yīng)加熱電源的制遣技術(shù)水平與電力半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展密切相關(guān)，20世紀50年代晶閘管（SCR）的問世，給感應(yīng)加熱電源的發(fā)展帶來了生機，感應(yīng)加熱裝置的結(jié)構(gòu)面貌煥然一新，出現(xiàn)了高壓大功率的變頻器感應(yīng)加熱電源，加熱電流的頻率從工頻擴展到中頻。20世紀60年代研制出門極關(guān)斷晶閘管（GTO），使感應(yīng)加熱電源又產(chǎn)生了一次變革，可用外部控制信號關(guān)斷，避免了晶閘管需要結(jié)構(gòu)復(fù)雜的強迫換流電路，變頻器電源的可靠性也得到提高。

    如果說晶閘管（SCR、GTO）的出現(xiàn)導(dǎo)致感應(yīng)加熱電源的一場革命性變革，那么20世紀70年代場效應(yīng)晶體管（MOSFET）及20世紀80年代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的誕生，使感應(yīng)加熱電源的發(fā)展如虎添翼，加熱的電流頻率擴展到MHz級，感應(yīng)加熱電源已趨向模塊化、標準化。